寬禁帶半導體高頻及微波功率器件與電路

趙正平等,王小謨,左群聲

寬禁帶半導體高頻及微波功率器件與電路
  • 出版商: 國防工業
  • 出版日期: 2017-12-01
  • 定價: $588
  • 售價: 8.5 折 $500
  • 語言: 簡體中文
  • 頁數: 291
  • 裝訂: 平裝
  • ISBN: 7118114545
  • ISBN-13: 9787118114546
  • 相關分類: 半導體

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商品描述

《寬禁帶半導體高頻及微波功率器件與電路》重點介紹了SiC和GaN
寬禁帶半導體高頻開關和微波功率器件與電路的新進展與實用製備技術。
　　
《寬禁帶半導體高頻及微波功率器件與電路》共5章：
章介紹電力電子和固態微波器件的發展及其在雷達領域的應用；
第2章介紹SiC和GaN寬禁帶半導體材料，包括SiC和GaN單晶、SiC的同質外延生長、GaN的異質外延生長；
第3章介紹SiC高頻功率器件，包括SiC功率二極管、SiC MESFET、SiC MOSFET、SiC JFET、SiC BJT、SiC IGBT和SiC GTO；
第4章介紹GaN微波功率器件與電路，包括GaNHEMT、GaN MMIC、E模GaN HEMT和N極性GaN HEMT；
第5章介紹正在發展中的固態新型器件，包括太赫茲器件、金剛石器件和二維材料器件。

《寬禁帶半導體高頻及微波功率器件與電路》可供從事寬禁帶半導體和雷達、
通信、電子對抗以及電力電子應用等領域的科研人員參考。

作者簡介

趙正平

江蘇揚州人，研究員級高工，1970年畢業於清華大學無線電電子學系，
1982年獲南京工學院電子工程系半導體物理與器件專業工學碩士學位。
1982年至2002年在電子工業部第十三研究所工作，歷任課題組長、研究室主任、主管科研副所長和所長，
2002年後參於組建中國電子科技集團公司，歷任黨組成員兼總經理助理和黨組成員兼副總經理。
現任中國電子科技集團公司集團科技委副主任.中國航空工業集團公司外部董事，河北工業大學微電子專業博導。
常期從事砷化鎵功率器件與集成電路。微米、鈉米技術和寬禁帶半導體功率器件的開創性研究。
在首次突破GaAs功率器件，功率MMIC.星用固態放大器和GaNHEMT功率器件等關鍵技術，
獲國家科技進步獎二、三等獎各1次，部科技進步獎一、二、三等獎8次。
歷任國家“863”信息領域專家、國防“973”首席專家和“核高基”國家重大專項專家，
1993年獲得特貼專家稱號，1994年獲國家中青年專家稱號。

目錄大綱

目錄

章緒論
1．1電力電子器件的發展
1．1．1 Si電力電子器件的發展
1．1．2寬禁帶電力電子器件的發展
1．1．3我國電力電子器件的發展
1．2固態微波器件的發展
1．2．1 Si和GaAs固態微波器件與電路的發展
1．2．2 SiC固態微波器件與電路發展
1．2．3 GaN固態微波器件與電路發展
1．3固態器件在雷達領域的應用
1．3．1 si、GaAs固態微波器件與固態有源相控陣雷達
1．3．2 SiC、GaN固態微波器件與T／R模塊
1．3．3 siC、GaN高頻開關功率器件與開關功率源／固態脈沖調制源
參考文獻

第2章寬禁帶半導體材料
2．1氮化鎵和碳化矽晶體材料
2．1．1 GaN晶體性質和製備
2．1．2 SiC晶體性質和製備
2．2碳化矽材料的同質外延生長技術
2．2．1 SiC同質外延生長方法
2．2．2 SiC CVD同質外延關鍵技術
2．2．3 SiC外延層缺陷
2．3氮化物材料的異質外延生長技術
2．3．1氮化物外延生長基本模式和外延襯底的選擇
2．3．2用於氮化物異質外延的金屬有機物化學氣相沉積技術
2．3．3氮化物異質外延生長中的幾個重要問題
2．4寬禁帶半導體材料的表徵方法
2．4．1 X射線衍射測試
2．4．2原子力顯微鏡測量
2．4．3光致發光譜測量
2．4．4傅里葉變換紅外譜厚度測試
2．4．5汞探針CV法測量雜質濃度分佈
參考文獻

第3章碳化矽高頻功率器件
3．1 SiC功率二極管
3．1．1 siC肖特基二極管
3．1．2 siC PIN二極管
3．1．3 SiC JBS二極管
3．1 ．4 siC二極管進展
3．1．5 siC二極管應用
3．2 SiC MESFET
3．2．1工作原理
3．2．2 SiC MESFET研究進展
3．2．3 SiC MESFET應用
3．3 SiC MOSFET
3．3 ．1工作原理
3．3．2關鍵工藝
3．3．3 SiC MOSFET進展
3．3．4 SiC MOSFET應用
3．4 siC JFET
3．4．1 SiC JFET的半導體物理基礎
3．4．2橫向SiC JFET
3．4．3垂直SiC JFET
3．4．4 SiC VJFET發展趨勢及挑戰
3．4．5 SiC JFET應用
3．5 SiC BJT
3．5．1 BJT基本工作原理
3．5．2 BJT基本電學特性
3．5．3 SiC BJT關鍵技術進展
3．5．4 siC BJT的應用
3．6 siC IBJT
3．6．1工作原理
3．6．2 SiC IGBT進展
3． 6．3 SiC IGBT應用
3．7 SiC GTO
3．7．1晶閘管的導通過程
3．7．2關斷特性
3．7．3頻率特性
3．7．4臨界電荷
3．7．5 SiC GTO研究進展與應用
參考文獻

第4章氧化鎵微波功率器件與電路
4．1 GaN HEMT
4．1．1 GaN HEMT器件工作原理
4．1．2 GaN HEMT器件的性能表徵
4．1．3 GaN HEMT器件關鍵技術
4．1．4外D模HEMT器件進展
4．2 GaN MMIC
4．2．1 MMIC功率放大器電路設計
4．2．2 MMIC功率放大器電路製備的關鍵工藝
4．2．3外GaN MMIC研究進展
4．2．4 GaN MMIC應用
4．3 E模GaN HEMT
4．3．1 E模器件基本原理
4．3．2外E模GaN HEMT器件進展
4．3．3 E模GaN器件應用
4． 4 N極性GaN HEMT
4．4．1 N極性GaN HEMT原理
4．4．2 N極性GaN材料生長
4．4．3外N極性面GaN器件進展
4．5 GaN功率開關器件與微功率變換
4．5． 1 GaN功率開關器件工作原理
4．5．2外GaN功率開關器件進展
4．5．3外GaN功率開關器件應用
4．5．4 GaN開關功率管應用與微功率變換
參考文獻

第5章展望
5 ．1固態太赫茲器件
5．1．1太赫茲肖特基二極管
5．1．2太赫茲三極管
5．1．3氮化物太赫茲固態器件
5．1．4太赫茲固態器件總結與展望
5． 2金剛石器件
5．2．1金剛石材料基本性質
5．2．2金剛石材料生長方法
5．2．3金剛石器件舉例
5．2．4總結與展望
5．3二維材料器件
5．3．1石墨烯材料器件
5．3．2其他二維材料器件
5．3．3二維材料器件製備工藝
5．3．4總結與展望
參考文獻

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