電子電路分析與設計 — 數字電子技術, 4/e

本書主要分析數字電路。首先討論MOS數字電路分析與設計，重點為CMOS電路，它是構成最流行數字電路的基礎；然後依次介紹基本的數字邏輯門電路、移位寄存器、觸發器和基本的A/D與D/A轉換電路；最後介紹雙極性數字電路，包括射極耦合邏輯電路和傳統的晶體管邏輯（TTL）電路。本書理論聯系實際，有利於提高讀者的數字電路設計能力。

任艷頻，女，1999年畢業於清華大學自動化系，獲工學博士學位。
畢業後加入聯想集團，從事信息家電和數字家庭產品研發工作。
自2006年起在清華大學自動化系任教，高級工程師，“控制工程”國j級優秀教學團隊成員，北京市高教學會電子線路分會秘書長，全國大學生智能汽車競賽秘書處成員，IEEE Senior Member。
現任清華大學電工電子中心電子技術實驗室主任，清華大學自動化實驗教學中心副主任。
十年以來，主要從事電子技術實踐教學，同時講授數字電子技術基礎理論課，並參加清華大學數字電子技術基礎和模擬電子技術基礎MOOC課程建設。
主持完成北京市教改項目1項。目前主要研究方向為自動測試、嵌入式系統及EDA。
2006-2007年主持與航天部合作項目“火工品測試儀”，完成基於LXi線的火工品測試儀研製。
2007-2009年參加可編程集成電路測試儀的研製。2009年開始主持口袋儀器的研發。
近年來，發表學術及教學論研究論文29篇，出版專著1本。
共申請專利24項，其中發明專利22項。
曾獲清華大學教學成果獎一等獎、清華大學實驗技術成果獎一等獎、清華大學優秀班主任一等獎、清華大學優秀SRT指導教師等獎項。

第1章數字電子學導論
1.1預覽
1.2邏輯函數和邏輯門
1.3邏輯電平
1.4噪聲容限
1.5傳輸延遲時間和開關時間
1.6小結

第2章MOSFET數字電路
2.1 NMOS反相器
2.1.1 N溝道MOSFET回顧
2.1.2 NMOS反相器的傳輸特性
2.1.3襯底的基體效應
2.2 NMOS邏輯電路
2.2.1 NMOS或非門和與非門
2.2.2 NMOS邏輯電路
2.2.3扇出係數
2.3 CMOS反相器
2.3.1 P溝道MOSFET回顧
2.3.2 CMOS反相器的直流分析
2.3.3功耗
2.3.4噪聲容限
2.4 CMOS邏輯電路
2.4.1基本CMOS或非門和與非門
2.4.2晶體管尺寸
2.4.3複雜CMOS邏輯電路
2.4.4扇出係數和傳輸延遲時間
2.5帶時鐘的CMOS邏輯電路
2.6傳輸門
2.6.1 NMOS傳輸門
2.6.2 NMOS傳輸網絡
2.6.3 CMOS傳輸門
2. CMOS傳輸網絡
2.7時序邏輯電路
2.7.1動態移位寄存器
2.7.2 RS觸發器
2.7.3 D觸發器
2.7.4 CMOS全加器電路
2.8存儲器的分類與電路結構
2.8.1存儲器的分類
2.8.2存儲器結構
2.8.3地址譯碼器
2.9 RAM存儲器單元
2.9.1 NMOS SRAM單元
2.9.2 CMOS SRAM單元
2.9.3 SRAM讀/寫電路
2.9.4動態RAM（DRAM）存儲單元
2.10只讀存儲器
2.10.1 ROM和PROM單元
2.10.2 EPROM和EEPROM單元
2.11數據轉換器
2.11.1 A/D和D/A的基本概念
2.11. 2數-模轉換器
2.11.3模-數轉換器
2.12設計應用：一個靜態CMOS邏輯門
2.13本章小結
習題

第3章雙極型數字電路
3.1發射極耦合邏輯（ECL）
3.1.1差分放大電路回顧
3.1.2 ECL邏輯門
3.1.3 ECL邏輯電路的特性
3.1.4電壓傳輸特性
3.2改進型ECL電路
3.2 .1低功耗ECL電路
3.2.2其他ECL門電路
3.2.3串聯門
3.2.4傳輸延遲時間
3.3晶體管-晶體管邏輯電路
3.3.1基本二極管-三極管邏輯門
3.3.2 TTL的輸入晶體管
3.3.3基本TTL與非電路
3.3.4 TTL輸出級和扇出係數
3.3.5三態輸出
3.4肖特基晶體管-晶體管邏輯電路
3.4.1肖特基箝位晶體管
3.4.2肖特基TTL與非電路
3.4 .3低功耗肖特基TTL電路
3.4.4改進型肖特基TTL電路
3.5 BiCMOS數字電路
3.5.1 BiCMOS反相器
3.5.2 BiCMOS邏輯電路
3.6設計應用：靜態ECL門電路
3.7本章小結
習題

附錄A物理常數與轉換因子
附錄B製造商數據手冊節選
附錄C標準電阻和電容值
C.1碳膜電阻
C.2精密電阻（容差為1%）
C.3電容
附錄D參考文獻