微加工技術工藝原理與實驗
陳軍、黃展雲、張宇、盧星、王冰、陳暉
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半導體先進光刻理論與技術$1,188$1,129
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商品描述
本書共分6篇12章，系統介紹了微加工技術工藝原理和實驗教程。本書內容理論和實驗相結合，涵蓋了微加工技術工藝中的光刻、刻蝕、薄膜沉積、氧化和摻雜等工藝。理論部分著重對各種工藝技術的原理進行闡述。實驗部分列舉了光刻、刻蝕、薄膜制備和摻雜四大類工藝的單項實驗，器件製造工藝實驗和器件特性測量實驗。 本書對初步涉足這一領域的高等院校本科生、研究生以及相關科研人員、工程技術人員具有很好的參考價值，可作為高等院校微電子科學與技術、光電信息科學與工程、電子科學與技術、電子信息工程等專業本科生或研究生的相關課程教材。
目錄大綱
目錄
第一篇導論
第1章集成電路與微納加工技術
1．1引言
1．2集成電路產業發展簡史
1．3集成電路製造的發展路線
1．4集成電路製造的基本流程
第2章微加工工藝環境介紹
2．1微加工工藝環境的建設
2．1．1潔凈室簡介
2．1.2微電子工藝潔凈實驗室建設
2．2實驗室安全與註意事項
擴展閱讀： 《潔凈室消防安全工作管理條例》
第二篇單項工藝1： 光刻
第3章光刻技術
3．1光刻技術介紹
3．2光學光刻技術
3．2．1光學曝光原理與方式
3．2．2光刻的關鍵指標
3．2．3分辨率增強技術
3．2．4光刻膠的類型和特性
3．3其他的光學曝光技術
3．3．1極紫外曝光
3．3．2X射線曝光
3．3．3激光掃描無掩模曝光
3．3．4反射鏡陣列無掩模曝光
3．3．5LIGA技術
3．4非光學光刻技術
第4章光刻工藝實驗
4．1工藝原理
4．2光刻工藝
4．3光刻實例
4．4光刻圖形的檢查和表徵
4．5實驗報告與數據分析
4．6思考題
擴展閱讀： 儀器操作與說明
第三篇單項工藝2： 刻蝕
第5章等離子體與刻蝕技術
5．1刻蝕工藝介紹
5．2刻蝕工藝基礎
5．3濕法刻蝕工藝
5．3．1介紹
5．3．2氧化物的濕法刻蝕
5．3．3硅的濕法刻蝕
5．3．4氮化物的濕法刻蝕
5．3．5金屬的濕法刻蝕
5．4等離子體(乾法)刻蝕
5．4．1介紹
5．4．2等離子體
5．4．3刻蝕工藝的分類： 化學、物理和反應離子刻蝕
5．4．4等離子體刻蝕機理
5．4．5等離子體刻蝕的腔室
5．4．6刻蝕終止點
5．5等離子體刻蝕工藝
5．5．1介質的等離子體刻蝕
5．5．2單晶硅刻蝕
5．5．3多晶硅刻蝕
5．5．4金屬刻蝕
5．5．5光刻膠的去除
5．5．6無圖案乾法刻蝕工藝
5．5．7等離子體刻蝕的安全性
5．6化學機械拋光
5．7刻蝕工藝受參數影響的變化趨勢
5．8等離子體刻蝕技術的發展
第6章刻蝕工藝實驗
6．1工藝原理
6．1．1濕法刻蝕工藝原理
6．1．2乾法刻蝕工藝原理
6．2濕法刻蝕工藝實驗
6．2．1實驗準備
6．2．2濕法刻蝕工藝流程
6．2．3實驗記錄
6．2．4註意事項
6．3乾法刻蝕工藝實驗
6．3．1實驗準備
6．3．2乾法刻蝕工藝流程
6．3．3實驗記錄
6．3．4註意事項
6．4實驗報告與數據分析
6．5思考題
擴展閱讀： 儀器操作與說明
第四篇單項工藝3： 薄膜制備
第7章薄膜制備技術
7．1薄膜基礎知識
7．1．1微納電子器件對薄膜的要求
7．1．2薄膜生長的基礎知識
7．1．3薄膜制備的特性指標
7．2薄膜沉積技術簡介
7．3物理氣相沉積技術
7．3．1蒸發法
7．3．2濺射法
7．3．3蒸發和濺射的鍍膜質量和改善方法
7．4化學氣相沉積技術
7．4．1化學氣相沉積的基本知識
7．4．2化學氣相沉積工藝與設備
7．4．3典型材料的CVD工藝
7．4．4採用CVD技術制備一維/二維納米材料
7．4．5原子層沉積技術
第8章薄膜制備工藝實驗
8．1工藝原理
8．1．1磁控濺射工藝原理
8．1．2等離子增強化學氣相沉積工藝原理
8．1．3原子層沉積工藝原理
8．2磁控濺射工藝
8．2．1實驗準備
8．2．2磁控濺射工藝流程
8．2．3實驗記錄
8．2．4註意事項
8．3化學氣相沉積工藝
8．3．1實驗準備
8．3．2化學氣相沉積工藝流程
8．3．3實驗記錄
8．3．4註意事項
8．4原子層沉積工藝
8．4．1實驗準備
8．4．2原子層沉積工藝流程
8．4．3實驗記錄
8．4．4註意事項
8．5實驗報告與數據分析
8．6思考題
擴展閱讀： 儀器操作與說明
第五篇單項工藝4： 摻雜
第9章熱處理和離子註入
9．1熱處理工藝
9．1．1介紹
9．1．2熱處理系統
9．2氧化工藝
9．2．1介紹
9．2．2氧化工藝的應用
9．2．3氧化前清洗
9．2．4熱氧化的速率
9．2．5乾法氧化
9．2．6濕法氧化
9．2．7高壓氧化
9．2．8氧化層的測量
9．2．9氧化工藝的發展
9．3擴散摻雜工藝
9．3．1介紹
9．3．2擴散工藝步驟
9．3．3摻雜的測量
9．4離子註入摻雜工藝
9．4．1介紹
9．4．2離子註入的優點
9．4．3離子註入基礎
9．4．4離子註入系統
9．4．5離子註入的安全問題
9．5熱退火工藝
9．5．1離子註入後的熱退火工藝
9．5．2快速熱退火工藝
第10章熱氧化和擴散工藝實驗
10．1工藝原理
10．1．1熱氧化工藝原理
10．1．2擴散工藝原理
10．2熱氧化工藝
10．2．1實驗準備
10．2．2熱氧化工藝流程
10．2．3實驗記錄與測試
10．3擴散工藝
10．3．1實驗準備
10．3．2實驗過程
10．3．3實驗記錄與測試
10．4實驗報告與數據分析
10．5註意事項
10．6思考題
擴展閱讀： 儀器操作與說明
第六篇工 藝 集 成
第11章工藝集成與集成電路製造
11．1器件隔離
11．1．1PN結隔離
11．1．2LOCOS隔離
11．1．3STI淺溝道隔離
11．1．4DTI深溝道隔離
11．1．5SOI絕緣體上硅隔離
11．2金屬互連和多層金屬布線
11．2．1金屬互連
11．2．2多層金屬布線及工藝
11．2．3互連延遲問題與解決方法
11．2．4低K絕緣介質層
11．3歐姆接觸和金屬硅化物
11．3．1歐姆接觸
11．3．2金屬硅化物
第12章器件製造工藝及特性測試
12．1器件製造工藝原理
12．1．1電阻
12．1．2光電二極管
12．1．3MOSFET
12．2器件版圖設計
12．3器件制備流程
12．3．1光電二極管
12．3．2NMOS管制備流程
12．4特性測試
12．4．1光電特性測量介紹
12．4．2特性測量實驗
擴展閱讀： 儀器操作與說明
參考文獻
