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商品描述
- 內容簡介
本書首先介紹元件構造及製程,之後說明微細加工技術、薄膜堆積技術、氧化膜技術、雜質植入技術、潔淨化技術、結晶成長技術、高.強介電質薄膜的形成、製程膜組技術、製程模擬技術,最後對將來可能的動向及課題做敘述。讀完本書將可掌握ULSI整體的概念,及製程技術將來可能的動向。本書適用於半導體製程相關從業人員參考使用。
- 目錄
第1章 ULSI的構造及必要的製程技術
第2章 微細加工技術
- 2.1 微影技術
- 2.2 蝕刻技術
第3章 薄膜沉積技術
- 3.1 金屬膜沉積技術
- 3.2 絕緣膜沉積技術
第4章 氧化膜沈積技術
- 4.1 氧化矽膜的基本性質
- 4.2 單結晶矽的熱氧化
- 4.3 多結晶矽表面的氧化
- 4.4 總結
第5章 雜質摻雜技術
- 5.1 擴散技術
- 5.2 離子植入技術
第6章 潔淨化技術
- 6.1 濕式洗淨技術
- 6.2 乾式洗淨技術
- 6.3 吸氣(gettering)技術
第7章 結晶成長技術
- 7.1 矽結晶成長技術
- 7.2 控制結晶缺陷的技術
- 7.3 單結晶晶圓技術
- 7.4 SOI技術
第8章 高˙強介電質薄膜形成技術
- 8.1 強介電質材料和其在ULSI中的定位
- 8.2 Ta2O5電容器形成技術
- 8.3 立方晶(Perovskite)薄膜形成技術
第9章 製程模組技術
- 9.1 元件隔離技術
- 9.2 連接(contact)技術
- 9.3 多層導線技術
- 9.4 電容器技術
第10章 製程模擬技術
- 10.1 所謂製程模擬
- 10.2 氧化工程
- 10.3 擴散工程
- 10.4 成膜、蝕刻工程
- 10.5 高速處理技術及其利用技術的重要性
- 10.6 分子動力學模擬器
第11章 ULSI製程技術將來的動向和課題
- 2.1 微影技術