2.5D / 3D IC 深度剖析

拓墣產業研究所

  • 出版商: 拓墣科技
  • 出版日期: 2014-01-26
  • 定價: $4,000
  • 售價: 9.5$3,800
  • 貴賓價: 9.0$3,600
  • 語言: 繁體中文
  • 頁數: 77
  • ISBN: 9865914298
  • ISBN-13: 9789865914295
  • 相關分類: 半導體電子學 Eletronics
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商品描述

<內容簡介>

積體電路經過將近半世紀的發展後,逐漸形成目前熟悉的集成電路,半導體工業也在幾近符合Moore’s Law的走勢,為人們帶來前所未有的革新。
然而,如此的榮景正走向極限,不單是技術上的限制,更重要的是Moore’s Law所提及的製造成本的下降,在集成電路走向20nm以下受到極大的挑戰。綜合原因來自於設備造價高昂,製造過程繁複,良率容易受到更多變因等影響,因此目前的集成電路正走向3個不同的路徑。
其一就是上述的傳統微縮方案,估計2014年可以做到20nm產品量產,2015~2016年間達成16nm/14nm產品量產,雖然量產時程符合市場預期,但是價格仍會是半導體工業最大的隱憂。
其二是18吋晶圓解決方案(或稱450mm),透過基本的數學計算,在其他條件不變下,能夠節省目前主流12吋晶圓至少一半的成本,可惜的是,現實條件無法做到這麼完美,光是建18吋晶圓廠的成本就預計超過100億美元,且最基本的晶圓承載、運送等裝置尚未量產,更不用提從黃光到蝕刻等關鍵製程中的機台,有鑑於基本投資太過龐大,未來有能力建廠者全球不超過3家,對設備業者而言,開發風險大且回報不見得高,其實現的時間點預計將在2016年之後。
最後就是2.5D/3D IC,其好處是可以突破集成電路微縮的極限,且不同層晶片間可以選擇最適的製程節點,不但省下研發系統單晶片的成本,對於目前寸土寸金的行動裝置電路板中,也可起到節省空間的作用。雖然有上述的好處,但是2.5D/3D IC到目前為止仍有許多瓶頸,導致無法順利量產。
本專題的主要架構是闡述2.5D/3D IC的市場,從平面架構的IC的極限出發,而後闡述2.5D/3D IC的市場發展,當中包含目前所遭遇的瓶頸與解決方案,最後是各供應商的分析。

<作者簡介>

「拓墣產業研究所」成立於1996年,總部設立於台北,上海、北京、廈門、美國矽谷設有子公司或據點,為台灣重要智庫中,最大規模之民營調研機構,也是唯一在大中華地區完整佈局之專業產業顧問公司,客戶遍及全球ICT大廠、金融單位與政府機關。
拓墣產業研究所長期關注全球ICT產業趨勢,研究主軸橫跨半導體、光電、通訊網路、消費電子、車用電子、物聯網、LED、環保節能等領域,近年並延伸至服務業、農業生技、數位內容、文化創意、國家策略發展、中國內需市場等非ICT產業,積極朝綜合研究之方向邁進。
為協助客戶快速掌握瞬息萬變的市場趨勢及動態,拓墣產業研究所針對17個產業主題,每年產出超過320篇以上研究報告,並輔以每日即時性的產業評析,和累積超過250冊已出版的主題式專題報告及200多場次產業趨勢研討會,拓墣產業研究所建置的龐大歷史分析與市場動態資料庫,讓訂閱客戶可藉由個人專屬帳號及密碼,隨時在世界各地上網查詢。
2006年拓墣產業研究所於上海成立全資子公司-「亞研信息諮詢(上海)有限公司」,提供客戶最即時深入之中國市場觀察研究。長期支持的在地客戶包括:上海宏力半導體、上海華虹NEC、中芯國際、天馬微電子、北京電子控股、宇龍、京東方、海信、海爾、康佳、福建省電子資訊、華為、聯想、龍騰光電等大型集團等,並為北京中關村、浦東新區發改委、上海積體電路協會、蘇通科技產業園、錫山經濟開發區、福建省電子資訊集團、福建省經貿委員會、廈門產業技術研究院、廈門市科學技術局、廈門軟體園、江門市高新區、南沙經開區、合肥發改委、合肥新站綜合開發實驗區、武漢東湖新技術開發區、西安高新區、咸陽高新區、重慶外經貿委、重慶經信委、重慶北部新區、重慶市巴南區、重慶高新區、重慶合川區等單位提供策略規劃服務,且在臺北成功舉辦多場兩岸產業合作交流會。亞研信息未來將持續深耕中國各地,以提供廣大客戶零時差之資訊諮詢服務。

<目錄>

第一章 2.5D/3D IC的崛起
一.2.5D/3D IC之起源
二.2.5D IC與3D IC的差別
三.2.5D/3D IC的市場區隔
第二章 3D IC的瓶頸
一.3D IC的規格制訂與測試挑戰
二.3D IC的晶圓薄化分析
三.3D IC的TSV分析
四.3D IC之散熱與封裝分析
第三章 2.5D/3D IC代工商機
一.不容忽視的對手:Intel
二.台積電與其競爭對手分析
三.各廠商客戶別與供應鏈分析
圖目錄
圖1.1 Mobile DRAM技術規格演進圖
圖1.2 Qualcomm aSMP如何省電
圖1.3 耗電量與頻率、電壓的關係
圖1.4 big.LITTLE架構
圖1.5 2D2.5D3D IC演進示意圖
圖1.6 PCB與IC間的凸塊間距演進
圖1.7 2.5D IC與3D IC的比較
圖1.8 2012~2015年2.5D IC主要應用端滲透率預估
圖1.9 各主要IC供應商的2.5D/3D IC規劃時程
圖2.1 3D IC關鍵發展時程
圖2.2 建立可測試化的3D IC流程
圖2.3 3D IC MBIST/MBISR
圖2.4 Logic BIST架構
圖2.5 TSV成本分析
圖2.6 晶圓薄化的問題
圖2.7 ZoneBOND暫時性鍵合製程步驟
圖2.8 3M vs TMAT的解鍵比較
圖2.9 TSV在晶圓表層示意圖
圖2.10 蝕刻造成扇形側壁示意圖
圖2.11 Bosch DRIE
圖2.12 Cryo DRIE
圖2.13 蝕刻速率與寬高比關係
圖2.14 2012~2016年TSV設備及材料市場規模
圖2.15 3D IC成本比重分析
圖2.16 3D IC熱分析與最適化概念流程圖
圖2.17 台積電2012年OIP Forum
圖2.18 3D IC 3項關鍵示意圖
圖2.19 智慧型手機零組件整合示意圖
圖2.20 Embedded IC Technology
圖2.21 2012~2016年Embedded IC Technology導入裝置預估
圖2.22 Fan-Out WLP vs FCBGA vs Fan-In WLCSP
圖2.23 2012~2016年Fan-Out WLP市場規模預估
圖3.1 Intel vs其他晶圓代工廠
圖3.2 2008~2012年Intel與台積電資本支出/現金流量比較
圖3.3 台積電的2.5D CoWoS平台商業模式
圖3.4 傳統的CoW(Chip on Wafer)製作流程
圖3.5 2012~2016年台積電、Samsung與封裝廠之3D IC市場預估
圖3.6 主要晶圓代工廠之3D IC發展模式
圖3.7 前四大晶圓代工於3D IC布局
圖3.8 GlobalFoundries未來技術藍圖
圖3.9 2011~2015年2.5D/3D IC未來產值分析
圖3.10 未來半導體產業分工圖
圖3.11 台積電2.5D Interposers的客戶及其產品種類
圖3.12 NVIDIA的「GPU+記憶體」用於單價高的專業級繪圖卡
圖3.13 2009~2015年2.5D Interposers晶圓數量需求(依應用別)
圖3.14 Sony PS Vita已採用Samsung的Wide I/O記憶體
圖3.15 2011~2015年各半導體廠2.5D/3D發展藍圖
圖3.16 3D IC半導體營運模式
圖3.17 3D IC半導體供應鏈
圖3.18 2.5D/3D TSV 3D IC需求
圖3.19 最佳的組合:Wide I/O+TSV
圖3.20 DRAM規格Roadmap(Server & PC)
圖3.21 DRAM規格Roadmap(Cellular Phone /Smartphone)
表目錄
表1.1 製程演進的多面向比較
表1.2 2011~2015年IC功能整合預期
表2.1 各類組織之2.5D/3D IC標準制定
表2.2 2012年與2015年晶圓薄度預估
表2.3 矽品晶圓薄化藍圖
表2.4 暫時性鍵合之廠商/製程/設備
表2.5 解鍵之廠商/製程/設備
表2.6 薄化晶圓解決方案
表2.7 依不同用途別之各廠商出貨量分析
表2.8 3種不同鑽孔之方式比較
表2.9 3D IC不同製程之各廠商支援
表2.10 DARPA ICECool
表3.1 台積電CoWoS參考流程
表3.2 不同種類IC對於2.5D/3D IC封裝的需求