移動互聯網芯片技術體系研究

陳新華,蘇梅英,曹立強

  • 出版商: 電子工業
  • 出版日期: 2020-12-01
  • 定價: $474
  • 售價: 8.5$403
  • 語言: 簡體中文
  • 頁數: 200
  • 裝訂: 平裝
  • ISBN: 7121388995
  • ISBN-13: 9787121388996
  • 立即出貨

買這商品的人也買了...

商品描述

近年來,集成電路技術急速發展,特別是移動互聯網芯片技術,知識迭代不斷加快,新技術不斷涌現。本書在比較全面、系統地介紹移動互聯網芯片產業概況、主要終端芯片、主要技術體系的基礎上,詳細闡述了MEMS芯片設計的方法和移動互聯網芯片先進封裝可靠性檢測研究的相關內容。本書可供廣大移動互聯網芯片技術領域的工程師、研發人員、技術管理人員和科研人員閱讀參考,也可以作為相關專業高年級本科生和研究生的參考書。

作者簡介

陳新華,北京建築大學機電學院教師,北京交通大學機電學院博士,CFMB技術委員會專家。
長期從事載運工具運用工程方向的教學和科學研究,主持了教育部產學合作協同育人項目、北京市優秀人才培養資助青年骨干個人項目、住建部科技計劃項目,並作為骨干成員參與國家"973 ”計劃子課題、國家"863”計劃課題和核高基重大專項等課題,發表在《Materials》《Progress in Natural Science: Materials International》等SCI和EI期刊發表論文十餘篇,申請及授權發明專利5項,相關成果獲得中共北京市教委北京高校青年教師社會調研優秀成果資助項目一等獎、中國科學技術協會"科普貢獻者”榮譽證書等獎項。

目錄大綱

目錄

第1章緒論001
1.1芯片產業概況001
1.2影響芯片產業走向的關鍵因素002
1.2.1生態體系構建003
1.2.2芯片技術研發004
1.2.3工藝製程004
1.2.4用戶與夥伴005
1.2.5政策扶持005
1.3我國移動互聯網芯片發展的機遇與挑戰005
1.3.1後來居上的創新機遇005
1.3.2未來升級的挑戰和短板007

第2章移動互聯網主要終端芯片011
2.1基帶處理器012
2.1.1基帶芯片012
2.1.2射頻芯片014
2.2應用處理器014
2.2.1 CPU 015
2 .2.2 GPU 015
2.2.3 AI芯片016
2.2.4電源管理芯片017
2.3存儲芯片017
2.4 MEMS芯片020

第3章移動互聯網芯片主要技術體系022
3.1芯片設計022
3.1.1 IP核/Chiplet與SoC設計025
3.1.2指令集027
3.1.3微架構032
3.1.4 EDA工具037
3.2芯片製造的製程、設備與材料038
3.2.1先進製程工藝038
3.2.2設備和相關材料041
3.3芯片封裝與測試042
3.3.1 SIP技術043
3.3 .2多芯片fcCSP封裝046
3.3.3 3D封裝047
3.3.4扇出式封裝049
本章參考文獻052

第4章MEMS微波功率傳感器芯片設計與模擬研究054
4.1微波功率傳感器及其應用054
4.2國內外發展現狀055
4.3微波功率傳感器的設計059
4.3.1微波功率傳感器的原理與理論059
4.3.2微波功率傳感器的基本單元與性能065
4.3. 3微波功率傳感器的結構與材料068
4.3.4微波功率傳感器的製造工藝071
4.4仿真軟件簡介075
4.5微波功率傳感器的仿真077
4.6本章小結085
本章參考文獻085

第5章移動互聯網芯片先進封裝可靠性檢測研究087
5.1發展現狀089
5.1.1國內現狀089
5.1.2國外現狀090
5.2試驗樣本及參照標準介紹092
5.2.1 TSV技術類型092
5.2.2 TSV芯片結構092
5.2.3 TSV芯片製造工藝094
5.3可靠性試驗概述095
5.3.1可靠性定義095
5.3.2目的096
5.3.3分類096
5.4可靠性試驗標準介紹096
5.4.1 JESD22-A113E 096
5.4.2 JESD22-A104E 097
5.4.3 JESD22-A118E 097
5.4.4 JESD22-A102E 098
5.4.5 IPC/JEDECJ-STD-020.1 098
5.4.6 GJB 548B―2005 098
5.4.7 GJB 7400―2011 099
5.5可靠性試驗方法099
5.5.1試驗儀器099
5.5. 2試驗內容及參數確定100
5.6表徵方法107
5.6.1形狀分析激光顯微鏡107
5.6.2 X射線(X-Ray)檢測儀分析108
5.6.3超聲波掃描電子顯微鏡(C -SAM)分析109
5.6.4場發射掃描電子顯微鏡(SEM)分析110
5.6.5 X射線能譜儀(EDS)分析111
5.6.6聚焦離子束(FIB)技術112
5. 7試驗數據及圖像分析112
5.7.1形狀分析激光顯微鏡分析結果112
5.7.2初始芯片A、B 113
5.7.3 PC試驗後芯片C、D 120
5.7.4 TC試驗後芯片E、F 129
5 .7.5 UHAST試驗後芯片G、H 138
5.7.6 PCT試驗後芯片I、J 147
5.8 X-Ray檢測儀分析結果156
5.9 C-SAM分析結果158
5.10 SEM與EDS分析結果159
5.11本章小結184
本章參考文獻186