芯片製造 — 半導體工藝製程實用教程, 6/e

韓鄭生

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商品描述

本書是一本介紹半導體集成電路和器件製造技術的專業書, 在半導體領域享有很高的聲譽。本書的討論範圍包括半導體工藝的每個階段: 從原材料的制備到封裝、 測試和成品運輸, 以及傳統的和現代的工藝。全書提供了詳細的插圖和實例, 並輔以小結和習題, 以及豐富的術語表。第六版修訂了微芯片製造領域的新進展, 討論了用於圖形化、 摻雜和薄膜步驟的先進工藝和尖端技術, 使隱含在復雜的現代半導體製造材料與工藝中的物理、 化學和電子的基礎信息更易理解。本書的主要特點是避開了復雜的數學問題介紹工藝技術內容, 並加入了半導體業界的新成果, 可以使讀者瞭解工藝技術發展的趨勢。

作者簡介

彼得·範·贊特(Peter Van Zant),國際知名半導體專家,具有廣闊的工藝工程、培訓、諮詢和寫作方面的背景。他曾先後在IBM和德州儀器(TI)工作,之後在矽谷,又先後在美國國家半導體(National Semiconductor)和單片存儲器(Monolithic Memories)公司任晶圓製造工藝工程和管理職位。他還曾在加利福尼亞州洛杉礬的山麓學院(Foothill College)任講師,講授半導體課程和針對初始工藝工程師的高級課程。

目錄大綱

第1章 半導體產業
1.1 引言
1.2 一個產業的誕生
1.3 固態時代
1.4 集成電路
1.5 工藝和產品趨勢
1.6 半導體產業的構成
1.7 生產階段
1.8 微芯片製造過程發展的60年
1.9 納米時代
習題
參考文獻
第2章 半導體材料和化學品的特性
2.1 引言
2.2 原子結構
2.3 元素週期表
2.4 電傳導
2.5 絕緣體和電容器
2.6 本徵半導體
2.7 摻雜半導體
2.8 電子和空穴傳導
2.9 半導體生產材料
2.10 半導體化合物
2.11 鍺化矽
2.12 襯底工程
2.13 鐵電材料
2.14 金剛石半導體
2.15 工藝化學品
2.16 物質的狀態
2.17 物質的性質
2.18 壓力和真空
2.19 酸、 鹼和溶劑
2.20 化學純化和清洗
習題
參考文獻
第3章 晶體生長與硅晶圓製備
3.1 引言
3.2 半導體矽製備
3.3 晶體材料
3.4 晶體定向
3.5 晶體生長
3.6 晶體和晶圓質量
3.7 晶圓製備
3.8 切片
3.9 晶圓刻號
3.10 磨片
3.11 化學機械拋光
3.12 背面處理
3.13 雙面拋光
3.14 邊緣倒角和拋光
3.15 晶圓評估
3.16 氧化
3.17 包裝
3.18 工程化晶圓(襯底)
習題
參考文獻
第4章 晶圓製造和封裝概述
4.1 引言
4.2 晶圓生產的目標
4.3 晶圓術語
4.4 芯片術語
4.5 晶圓生產的基礎工藝
4.6 薄膜工藝
4.7 晶圓製造實例
4.8 晶圓中測
4.9 集成電路的封裝
4.10 小結
習題
參考文獻
第5章 污染控制
5.1 引言
5.2 污染源
5.3 淨化間的建設
5.4 淨化間的物質與供給
5.5 淨化間的維護
5.6 晶圓表面清洗
習題
參考文獻
第6章 生產能力和工藝良品率
6.1 引言
6.2 良品率測量點
6.3 累積晶圓生產良品率
6.4 晶圓生產良品率的製約因素
6.5 封裝和最終測試良品率
6.6 整體工藝良品率
習題
參考文獻
第7章 氧化
7.1 引言
7.2 二氧化矽層的用途
7.3 熱氧化機制
7.4 氧化工藝
7.5 氧化後評估
習題
參考文獻
第8章 十步圖形化工藝流程——從表面製備到曝光
8.1 引言
8.2 光刻工藝概述
8.3 光刻十步法工藝過程
8.4 基本的光刻膠化學
8.5 光刻膠性能的要素
8.6 光刻膠的物理屬性
8.7 光刻工藝: 從表面製備到
曝光
8.8 表面製備
8.9 涂光刻膠(旋轉式)
8.10 軟烘焙
8.11 對準和曝光
8.12 先進的光刻
習題
參考文獻
第9章 十步圖形化工藝流程——從顯影到最終檢驗
9.1 引言
9.2 硬烘焙
9.3 刻蝕
9.4 濕法刻蝕
9.5 干法刻蝕
9.6 干法刻蝕中光刻膠的影響
9.7 光刻膠的去除
9.8 去膠的新挑戰
9.9 最終目檢
9.10 掩模版的製作
9.11 小結
習題
參考文獻
第10章 下一代光刻技術
10.1 引言
10.2 下一代光刻工藝的挑戰
10.3 其他曝光問題
10.4 其他解決方案及其挑戰
10.5 晶圓表面問題
10.6 防反射塗層
10.7 高級光刻膠工藝
10.8 改進刻蝕工藝
10.9 自對準結構
10.10 刻蝕輪廓控制
習題
參考文獻
第11章 摻雜
11.1 引言
11.2 擴散的概念
11.3 擴散形成的摻雜區和結
11.4 擴散工藝的步驟
11.5 澱積
11.6 推進氧化
11.7 離子注入簡介
11.8 離子注入的概念
11.9 離子注入系統
11.10 離子注入區域的雜質濃度
11.11 離子注入層的評估
11.12 離子注入的應用
11.13 摻雜前景展望
習題
參考文獻
第12章 薄膜澱積
12.1 引言
12.2 化學氣相澱積基礎
12.3 CVD的工藝步驟
12.4 CVD系統分類
12.5 常壓CVD系統
12.6 低壓化學氣相澱積(LPCVD)
12.7 原子層澱積
12.8 氣相外延
12.9 分子束外延
12.10 金屬有機物CVD
12.11 澱積膜
12.12 澱積的半導體膜
12.13 外延矽
12.14 多晶矽和非晶矽澱積
12.15 SOS和SOI
12.16 在矽上生長砷化鎵
12.17 絕緣體和絕緣介質
12.18 導體
習題
參考文獻
第13章 金屬化
13.1 引言
13.2 澱積方法
13.3 單層金屬
13.4 多層金屬設計
13.5 導體材料
13.6 金屬塞
13.7 濺射澱積
13.8 電化學鍍膜
13.9 化學機械工藝
13.10 CVD金屬澱積
13.11 金屬薄膜的用途
13.12 真空系統
習題
參考文獻
第14章 工藝和器件的評估
14.1 引言
14.2 晶圓的電特性測量
14.3 工藝和器件評估方法
14.4 物理測試方法
14.5 層厚的測量
14.6 柵氧化層完整性電學測量
14.7 結深
14.8 污染物和缺陷檢測
14.9 總體表面特徵
14.10 污染認定
14.11 器件電學測量
習題
參考文獻
第15章 晶圓製造中的商業因素