半導體先進封裝技術 Semiconductor Advanced Packaging

《半導體先進封裝技術》作者在半導體封裝領域擁有40多年的研發和製造經驗。
《半導體先進封裝技術》共分為11章，重點介紹了先進封裝，系統級封裝，扇入型晶圓級/板級芯片尺寸封裝，
扇出型晶圓級/板級封裝，2D、2.1D和2.3D IC集成，2.5D IC集成，3D IC集成和3D IC封裝，
混合鍵合，芯粒異質集成，低損耗介電材料和先進封裝未來趨勢等內容。
通過對這些內容的學習，能夠讓讀者快速學會解決先進封裝問題的方法。
《半導體先進封裝技術》可作為高等院校微電子學與固體電子學、電子科學與技術、
集成電路科學與工程等專業的高年級本科生和研究生的教材和參考書，也可供相關領域的工程技術人員參考。

前言
第1章 先進封裝1
1.1 引言1
1.2 半導體的應用1
1.3 系統技術的驅動力1
1.3.1 AI1
1.3.2 5G2
1.4 先進封裝概述3
1.4.1 先進封裝種類3
1.4.2 先進封裝層級3
1.5 2D扇出型（先上晶）IC集成5
1.6 2D倒裝芯片IC集成5
1.7 PoP、SiP和異質集成6
1.8 2D扇出型（後上晶）IC集成8
1.9 2.1D倒裝芯片IC集成8
1.10 含互連橋的2.1D倒裝芯片IC集成9
1.11 含互連橋的2.1D扇出型IC集成9
1.12 2.3D扇出型（先上晶）IC集成10
1.13 2.3D倒裝芯片IC集成10
1.14 2.3D扇出型（後上晶）IC集成11
1.15 2.5D（C4凸點）IC集成12
1.16 2.5D（C2凸點）IC集成12
1.17 微凸點3D IC集成13
1.18 微凸點芯粒3D IC集成14
1.19 無凸點3D IC集成14
1.20 無凸點芯粒3D IC集成15
1.21 總結和建議15
參考文獻16
第2章 系統級封裝22
2.1 引言22
2.2 片上系統22
2.3 SiP概述23
2.4 SiP的使用目的23
2.5 SiP的實際應用23
2.6 SiP舉例24
2.7 SMT25
2.7.1 PCB26
2.7.2 SMD28
2.7.3 焊膏29
2.7.4 模板印刷焊膏和自動光學檢測30
2.7.5 SMD的拾取和放置32
2.7.6 對PCB上的SMD的AOI33
2.7.7 SMT焊料回流33
2.7.8 缺陷的AOI和X射線檢測34
2.7.9 返修35
2.7.10 總結和建議36
2.8 倒裝芯片技術36
2.8.1 基於模板印刷的晶圓凸點成型技術37
2.8.2 C4晶圓凸點成型技術38
2.8.3 C2晶圓凸點成型技術40
2.8.4 倒裝芯片組裝—C4/C2凸點批量回流（CUF）40
2.8.5 底部填充提升可靠性42
2.8.6 倒裝芯片組裝—C4/C2凸點的小壓力熱壓鍵合（CUF）44
2.8.7 倒裝芯片組裝—C2凸點的大壓力熱壓鍵合（NCP）45
2.8.8 倒裝芯片組裝—C2凸點的大壓力熱壓鍵合（NCF）45
2.8.9 一種先進的倒裝芯片組裝—C2凸點液相接觸熱壓鍵合47
2.8.10 總結和建議53
參考文獻54
第3章 扇入型晶圓級/板級芯片尺寸封裝63
3.1 引言63
3.2 扇入型晶圓級芯片尺寸封裝（WLCSP）65
3.2.1 封裝結構65
3.2.2 WLCSP的關鍵工藝步驟67
3.2.3 WLCSP在PCB上的組裝68
3.2.4 WLCSP在PCB上組裝的熱仿真68
3.2.5 總結和建議74
3.3 扇入型板級芯片尺寸封裝（PLCSP）75
3.3.1 測試芯片75
3.3.2 測試封裝體76
3.3.3 PLCSP工藝流程77
3.3.4 PLCSP的PCB組裝83
3.3.5 PLCSP PCB組裝的跌落試驗84
3.3.6 PLCSP PCB組裝的熱循環試驗86
3.3.7 PLCSP PCB組裝的熱循環仿真92
3.3.8 總結和建議95
3.4 6面模塑晶圓級芯片尺寸封裝96
3.4.1 星科金朋的eWLCSP97
3.4.2 聯合科技的WLCSP97
3.4.3 矽品科技的mWLCSP97
3.4.4 華天科技的WLCSP99
3.4.5 矽品科技和聯發科的mWLCSP99
3.4.6 總結和建議102
3.5 6面模塑板級芯片尺寸封裝102
3.5.1 6面模塑PLCSP的結構102
3.5.2 晶圓正面切割和EMC模塑104
3.5.3 背面減薄和晶圓背面模塑104
3.5.4 等離子體刻蝕和劃片106
3.5.5 測試的PCB106
3.5.6 6面模塑PLCSP在PCB上的SMT組裝106
3.5.7 6面模塑PLCSP的熱循環試驗108
3.5.8 6面模塑PLCSP的PCB組裝熱循環仿真111
3.5.9 總結和建議115
參考文獻115
第4章 扇出型晶圓級/板級封裝124
4.1 引言124
4.2 扇出型（先上晶且面朝下）晶圓級封裝（FOWLP）125
4.2.1 測試芯片125
4.2.2 測試封裝體126
4.2.3 傳統的先上晶（面朝下）晶圓級工藝127
4.2.4 異質集成封裝的新工藝128
4.2.5 乾膜EMC層壓128
4.2.6 臨時鍵合另一塊玻璃支撐片128
4.2.7 再佈線層130
4.2.8 焊球植球131
4.2.9 最終解鍵合131
4.2.10 PCB組裝134
4.2.11 異質集成的可靠性（跌落試驗）135
4.2.12 總結和建議137
4.3 扇出型（先上晶且面朝下）板級封裝（FOPLP）137
4.3.1 測試封裝體的異質集成138
4.3.2 一種新的Uni-SIP工藝140
4.3.3 ECM面板的干膜層壓140
4.3.4 Uni-SIP結構的層壓141
4.3.5 新ABF的層壓、激光鑽孔、去膠渣141
4.3.6 激光直寫圖形和PCB鍍銅144
4.3.7 總結和建議145
4.4 扇出型（先上晶且面朝上）晶圓級封裝146
4.4.1 測試芯片146
4.4.2 工藝流程146
4.5 扇出型（先上晶且面朝上）板級封裝148
4.5.1 封裝結構148
4.5.2 工藝流程148
4.6 扇出型（後上晶或先RDL）晶圓級封裝150
4.6.1 IME的先RDL FOWLP151
4.6.2 測試結構151
4.6.3 先RDL關鍵工藝步驟152
4.6.4 先RDL FOWLP的PCB組裝154
4.7 扇出型（後上晶或先RDL）板級封裝154
4.7.1 測試芯片154
4.7.2 測試封裝體154
4.7.3 異質集成用先RDL板級封裝157
4.7.4 RDL基板的製作157
4.7.5 晶圓凸點成型160
4.7.6 芯片-基板鍵合160
4.7.7 底部填充和EMC模塑162
4.7.8 面板/條帶轉移163
4.7.9 阻焊層開窗和表面處理163
4.7.10 植球、解鍵合和條帶切割163
4.7.11 先RDL板級封裝的PCB組裝165
4.7.12 跌落試驗結果和失效分析165
4.7.13 熱循環試驗結果和失效分析169
4.7.14 熱循環仿真174
4.7.15 總結和建議175
4.8 Mini-LED RGB顯示器的扇出型板級封裝176
4.8.1 測試mini-LED177
4.8.2 測試mini-LED RGB顯示器的SMD封裝178
4.8.3 RDL和mini-LED RGB SMD製造179
4.8.4 PCB組裝182
4.8.5 跌落試驗185
4.8.6 熱循環仿真185
4.8.7 總結和建議191
參考文獻191
第5章 2D、2.1D和2.3D IC集成200
5.1 引言200
5.2 2D IC集成—引線鍵合200
5.3 2D IC集成—倒裝芯片201
5.4 2D IC集成—引線鍵合和倒裝芯片201
5.5 RDL202
5.5.1 有機RDL202
5.5.2 無機RDL202
5.5.3 混合RDL202
5.6 2D IC集成—扇出型（先上晶）203
5.6.1 HTC的Desire 606W203
5.6.2 4顆芯片異質集成203
5.7 2D IC集成—扇出型（後上晶）205
5.7.1 IME的後上晶扇出型封裝205
5.7.2 Amkor的SWIFT206
5.7.3 Amkor的SLIM207
5.7.4 矽品科技的混合RDL扇出208
5.7.5 欣興電子的扇出型後上晶工藝209
5.8 2.1D IC集成210
5.8.1 Shinko的i-THOP210
5.8.2 日立的2.1D有機轉接板212
5.8.3 日月光的2.1D有機轉接板212
5.8.4 矽品科技的2.1D有機轉接板213
5.8.5 長電科技的uFOS215
5.8.6 英特爾的EMIB216
5.8.7 應用材料的互連橋217
5.8.8 台積電的LSI217
5.9 2.3D IC集成217
5.10 採用SAP/PCB法的2.3D IC集成218
5.10.1 Shinko的無芯板有機轉接板218
5.10.2 思科的有機轉接板219
5.11 採用扇出型（先上晶）技術的2.3D IC集成220
5.11.1 星科金朋的2.3D eWLB220
5.11.2 聯發科的扇出型（先上晶）技術222
5.11.3 日月光的FOCoS（先上晶）223
5.11.4 台積電的InFO_oS和InFO_MS224
5.12 採用扇出型（後上晶）技術的2.3D IC集成225
5.12.1 矽品科技的NTI225
5.12.2 三星的無矽RDL轉接板225
5.12.3 日月光的FOCoS（後上晶）228
5.12.4 台積電的多層RDL轉接板229
5.12.5 Shinko的2.3D有機轉接板229
5.12.6 欣興電子的2.3D RDL轉接板232
5.13 總結和建議247
參考文獻247
第6章 2.5D IC集成251
6.1 引言251
6.2 Leti的SoW技術（2.5D IC集成技術的起源）251
6.3 IME的2.5D IC集成技術252
6.3.1 2.5D IC集成的三維非線性局部及全局分析252
6.3.2 用於電氣和流體互連的2.5D IC集成技術254
6.3.3 雙面堆疊無源TSV轉接板256
6.3.4 作為應力（可靠性）緩衝的TSV轉接板257
6.4 中國香港科技大學雙面集成芯片的TSV轉接板技術258
6.5 中國台灣“工業技術研究院”的2.5D IC集成259
6.5.1 雙面集成芯片TSV轉接板的熱管理259
6.5.2 應用於LED含嵌入式流體微通道的TSV轉接板260
6.5.3 集成有片上系統和存儲立方的TSV轉接板262
6.5.4 半嵌入式TSV轉接板263
6.5.5 雙面粘接芯片的TSV轉接板264
6.5.6 雙面集成芯片的TSV轉接板266
6.5.7 TSH轉接板268
6.6 台積電的CoWoS技術270
6.7 賽靈思/台積電的2.5D IC集成270
6.8 Altera/台積電的2.5D IC集成273
6.9 AMD/聯電的2.5D IC集成273
6.10 英偉達/台積電的2.5D IC集成274
6.11 台積電CoWoS路線圖275
6.12 2.5D IC集成的近期進展276
6.12.1 台積電的集成有深槽電容CoWoS276
6.12.2 IME 2.5D IC集成的非破壞性失效定位方法277
6.12.3 Fraunhofer的光電轉接板277
6.12.4 Dai Nippon/AGC的玻璃轉接板278
6.12.5 富士通的多層玻璃轉接板280
6.13 總結和建議280
參考文獻281
第7章 3D IC集成和3D IC封裝287
7.1 引言287
7.2 3D IC封裝287
7.2.1 3D IC封裝—引線鍵合式存儲芯片堆疊287
7.2.2 3D IC封裝—面對面鍵合後引線鍵合到基板291
7.2.3 3D IC封裝—背對背鍵合後引線鍵合到基板292
7.2.4 3D IC封裝—面對面鍵合後通過凸點/焊球到基板上293
7.2.5 3D IC封裝——面對背296
7.2.6 3D IC封裝——SiP中的埋入式芯片（面對面）296
7.2.7 3D IC封裝——採用倒裝芯片技術的PoP298
7.2.8 3D IC封裝——採用扇出技術的PoP300
7.2.9 總結和建議303
7.3 3D IC集成303
7.3.1 3D IC集成—HBM標準303
7.3.2 3D IC集成—HBM組裝305
7.3.3 3D IC集成—採用TSV的芯片堆疊307
7.3.4 3D IC集成——採用TSV的無凸點混合鍵合芯片堆疊311
7.3.5 3D IC集成——無TSV的無凸點混合鍵合芯片堆疊313
7.3.6 總結和建議313
參考文獻314
第8章 混合鍵合319
8.1 引言319
8.2 Cu-Cu TCB319
8.2.1 Cu-Cu TCB的一些基本原理319
8.2.2 IBM/RPI的Cu-Cu TCB321
8.3 室溫Cu-Cu TCB321
8.3.1 室溫Cu-Cu TCB的一些基本原理321
8.3.2 NIMS/AIST/東芝/東京大學的室溫Cu-Cu TCB322
8.4 SiO2-SiO2 TCB322
8.4.1 SiO2-SiO2 TCB的一些基本原理322
8.4.2 麻省理工學院的SiO2-SiO2 TCB324
8.4.3 Leti/ 飛思卡爾/意法半導體的SiO2-SiO2 TCB325
8.5 低溫DBI326
8.5.1 低溫DBI的一些基本原理326
8.5.2 有TSV的索尼CMOS圖像傳感器328
8.5.3 無TSV（混合鍵合）的索尼CMOS圖像傳感器329
8.6 低溫混合鍵合的近期發展332
8.6.1 IME混合鍵合的熱機械性能332
8.6.2 台積電的混合鍵合335
8.6.3 IMEC的混合鍵合338
8.6.4 格羅方德的混合鍵合339
8.6.5 三菱的混合鍵合340
8.6.6 Leti的混合鍵合341
8.6.7 英特爾的混合鍵合343
8.7 總結和建議343
參考文獻344
第9章 芯粒異質集成347
9.1 引言347
9.2 DARPA在芯粒異質集成方面的工作347
9.3 SoC（片上系統）348
9.4 芯粒異質集成349
9.5 芯粒異質集成的優缺點350
9.6 應用於芯粒異質集成的先進封裝351
9.6.1 有機基板上的2D芯粒異質集成351
9.6.2 有機基板上的2.1D芯粒異質集成352
9.6.3 有機基板上的2.3D芯粒異質集成353
9.6.4 矽基板（無源TSV轉接板）上的2.5D芯粒異質集成354
9.6.5 矽基板（有源TSV轉接板）上的3D芯粒異質集成355
9.6.6 帶互連橋的有機基板上的芯粒異質集成356
9.6.7 PoP芯粒異質集成357
9.6.8 扇出型RDL基板上的芯粒異質集成358
9.7 AMD的芯粒異質集成359
9.8 英特爾的芯粒異質集成362
9.9 台積電的芯粒異質集成364
9.10 總結和建議367
參考文獻367
第10章 低損耗介電材料371
10.1 引言371
10.2 為什麼需要低Dk和Df的介電材料372
10.3 為什麼需要低熱膨脹係數的介電材料372
10.4 NAMICS材料的Dk和Df372
10.5 Arakawa材料的Dk和Df375
10.6 杜邦材料的Dk和Df376
10.7 日立/杜邦微系統材料的Dk和Df377
10.8 JSR材料的Dk和Df378
10.9 Toray材料的Dk和Df381
10.10 富士通材料的Dk和Df381
10.11 Kayaku材料的Dk和Df382
10.12 三菱材料的Dk和Df385
10.13 TAITO INK材料的Dk和Df386
10.14 浙江大學材料的Dk和Df388
10.15 總結和建議389
參考文獻391
第11章 先進封裝未來趨勢392
11.1 引言392
11.2 COVID-19對半導體產業的影響392
11.3 COVID-19對晶圓代工行業的影響393
11.4 COVID-19對半導體客戶的影響393
11.5 COVID-19對封測行業的影響394
11.6 驅動端、半導體和先進封裝395
11.7 先進封裝的組裝工藝397
11.7.1 引線鍵合398
11.7.2 SMT399
11.7.3 倒裝芯片技術的晶圓凸點成型400
11.7.4 有機基板上的倒裝芯片技術400
11.7.5 CoC、CoW和WoW TCB以及混合鍵合401
11.8 扇出型先上晶（芯片面朝上）、先上晶（芯片面朝下）以及後上晶技術402
11.9 互連橋與TSV轉接板405
11.10 SoC與芯粒407
11.11 高速/高頻器件對材料的需求410
11.12 總結和建議411
參考文獻412