CMOS模擬集成電路(第2版)

王永生

  • 出版商: 清華大學
  • 出版日期: 2026-05-01
  • 售價: $474
  • 語言: 簡體中文
  • 頁數: 380
  • ISBN: 7302711771
  • ISBN-13: 9787302711773
  • 相關分類: CMOS
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商品描述

本書闡述CMOS模擬集成 電路分析與設計的相關知識 :主要介紹CMOS模擬集成 電路設計的背景、MOSFET 器件物理及建模等相關知識 ;分析電流源、電流鏡和基 準源,以及共源極、共漏極 、共柵極和共源共柵極等基 本放大器結構、原理、分析 與設計技術;同時分析電路 的頻率、噪聲等特性,並進 一步討論運算放大器、反饋 結構及其穩定性和頻率補償 ;然後討論開關電容電路、 比較器,進而介紹數模轉換 器和模數轉換器的基本結構 和工作原理; 討論與 CMOS模擬集成電路相關的 版圖設計技術。 本書可作為高等院校電 子信息類本科生和研究生教 材,也可作為相關領域工程 師的參考用書。

作者簡介

王永生,1974年7月出生,畢業於哈爾濱工業大學,獲得微電子學與固體電子學博士學位,現任哈爾濱工業大學航天學院副教授。長期從事數/模混合信號集成電路、系統芯片及其可測試性、可靠性設計的教學及科研工作。先後主持和參與了10餘項 與省部級科研項目;開發了多款高速及高精度模/數轉換器芯片,以及混合信號SoC芯片。申請並獲得授權發明專利10餘項。在模/數轉換器設計、混合信號SoC設計等領域發表學術論文50餘篇。

目錄大綱

第1章 緒論
1.1 模擬電路與數字電路
1.2 電路抽象層次
1.3 模擬集成電路設計
1.4 符號標記法
1.5 本章小結
第2章 MOSFET器件及模型
2.1 引言
2.2 MOSFET器件結構
2.2.1 MOSFET器件
2.2.2 CMOS
2.3 MOSFET器件I/V特性
2.3.1 工作區
2.3.2 輸出特性和轉移特性
2.3.3 溝道長度調制效應
2.3.4 體效應
2.3.5 亞閾值導通效應
2.4 MOSFET器件模型
2.4.1 MOSFET器件的大信號模型
2.4.2 MOSFET器件的小信號模型
2.4.3 MOSFET器件的噪聲模型
2.4.4 MOSFET器件的SPICE模型
2.5 MOSFET電路的SPICE仿真
2.5.1 SPICE仿真基本描述
2.5.2 SPICE中的基本仿真
2.6 本章小結
習題
第3章 CMOS電流源與電流鏡
3.1 引言
3.2 MOSFET電流源
3.2.1 簡單電流源
3.2.2 共源共柵電流源
3.3 MOS電流鏡
3.3.1 基本電流鏡
3.3.2 共源共柵電流鏡
3.3.3 大擺幅的共源共柵電流鏡
3.3.4 威爾遜電流鏡
3.4 本章小結
習題
第4章 基準源
4.1 引言
4.2 電壓基準源
4.2.1 分壓型電壓基準源
4.2.2 有源電壓基準源
4.2.3 帶隙基準源
4.3 電流基準源
4.3.1 基於電流鏡的簡單基準源
4.3.2 與電源無關的電流基準源
4.3.3 PTAT電流基準源
4.4 本章小結
習題
第5章 CMOS單級放大器
5.1 引言
5.2 放大器基本分析方法
5.2.1 電壓增益
5.2.2 放大器的非線性
5.3 共源極放大器
5.3.1 采用電阻負載的共源極放大器
5.3.2 二極管連接MOS晶體管負載的共源極放大器
5.3.3 采用電流源負載的共源極放大器
5.3.4 CMOS推挽放大器
5.4 共漏極放大器
5.5 共柵極放大器
……
第6章 CMOS差分放大器
第7章 CMOS放大器的頻率響應
第8章 噪聲
第9章 反饋
0章 CMOS運算放大器
1章 穩定性與頻率補償
2章 比較器
3章 開關電容電路
4章 DAC和ADC電路概論
5章 模擬集成電路的版圖設計
參考文獻