寬禁帶半導體氧化鎵——結構、制備與性能

氧化鎵作為新型的寬禁帶半導體材料，在高壓功率器件、深紫外光電器件、高亮度LED等方面具有重要的應用前景。本書從氧化鎵半導體材料的發展歷程、材料特性、材料制備原理與技術及電學性質調控等幾個方面做了較全面的介紹，重點梳理了作者及國內外同行在單晶制備方法、襯底加工、薄膜外延方面的研究成果；系統闡述了獲得高質量體塊單晶及薄膜的思路和方法，並對氧化鎵的發展進行了綜述和展望。

本書可作為寬禁帶半導體材料與器件相關的半導體、材料、化學、微電子等專業研究人員及理工科高校教師、研究生、高年級本科生的參考書或工具書，也可供其他對寬禁帶半導體材料氧化鎵感興趣的人員參考。