MEMS三維芯片集成技術

《MEMS三維芯片集成技術》一書由微機電系統（MEMS）領域的國際著名專家江刺正喜教授主編，
對MEMS器件的三維集成與封裝進行了全面而系統的探索，梳理了業界前沿的MEMS芯片製造工藝，
詳細介紹了與集成電路成熟工藝兼容的MEMS技術，重點介紹了已被廣泛使用的矽基MEMS以及圍繞系統集成的技術。
主要內容包括：體微加工、表面微加工、CMOSMEMS、晶圓互連、晶圓鍵合和密封、系統級封裝等。
本書全面總結了各類MEMS三維芯片的集成工藝以及目前最先進的技術，非常適合MEMS器件、集成電路、
半導體等領域的從業人員閱讀，為後摩爾時代半導體行業提供了發展思路以及研究方向，
並且為電路集成和微系統的實際應用提供了一站式參考。

第1部分導論
第1章概述
參考文獻
第2部分片上系統（SoC）
第2章體微加工
2.1 體微加工技術的製程基礎
2.2 基於晶圓鍵結的體微加工技術
2.2.1 SOI MEMS
2.2. 2 空腔SOI技術
2.2.3 玻璃上矽製程：溶片製程（DWP）
2.3 單晶圓單面加工製程
2.3.1 單晶反應刻蝕及金屬化製程（SCREAM）
2.3.2 犧牲體微加工（ SBM）
2.3.3 空腔上矽（SON）
參考文獻
第3章基於MIS製程的增強體微加工技術
3.1 多層3D結構或多感測器整合的重複MIS循環
3.1.1 PS3型結構的壓力感測器
3.1. 2 P+G整合感測器
3.2 壓力感測器製備：從MIS更新到TUB
3.3 用於各種先進MEMS裝置的MIS擴展製程
參考文獻
第4章外延多晶矽表面微加工
4.1 外延多晶矽的製程條件
4.2 採用外延多晶矽表面的MEMS元件
參考文獻
第5章多晶SiGe表面微加工
5.1 介紹
5.1.1 SiGe在IC晶片和MEMS上的應用
5.1.2 MEMS所需的SiGe特性
5.2 SiGe沉積
5.2.1 沉積方法
5.2.2 材料性能比較
5.2 .3 成本分析
5.3 LPCVD多晶SiGe
5.3.1 立式爐
5.3.2 顆粒控制
5.3.3 製程監測與維護
5.3.4 線上測量薄膜厚度與鍺含量
5.3.5 製程空間映射
5.4 CMEMS加工
5.4.1 CMOS介面問題
5.4.2 CMEMS製程
5.4.3 釋出
5.4.4 微蓋的Al-Ge鍵結
5.5 多晶SiGe應用
5.5.1 電子定時諧振器/振盪器
5.5.2 奈米機電開關
參考文獻
第6章金屬表面微加工
6.1 表面微加工的背景
6.2 靜態裝置
6.3 單次運動後固定的靜態結構
6.4 動態裝置
6.4.1 MEMS開關
6.4.2 數位微鏡裝置
6.5 總結
參考文獻
第7章異構整合氮化鋁MEMS諧振器與濾波器
7.1 集成氮化鋁MEMS概述
7.2 氮化鋁MEMS諧振器與CMOS電路的異構整合
7.2.1 氮化鋁MEMS製程
7.2.2 氮化鋁MEMS諧振器與濾波器的封裝
7.2. 3 封裝氮化鋁MEMS的重佈線層
7.2.4 選擇單一諧振器和濾波器頻率響應
7.2.5 氮化鋁MEMS與CMOS的倒裝晶片鍵合
7.3 異構集成自癒濾波器
7.3.1 統計元素選擇（SES）在CMOS電路AIN MEMS濾波器中的應用
7.3.2 三維混合集成晶片的測量
參考文獻
第8章使用CMOS晶圓的MEMS
第9章晶圓轉移
第10章壓電微機電系統
第3部分鍵結、密封與互連
第11章陽極鍵結
第12章直接鍵結
第13章金屬鍵結
第14章反應鍵結
第15章聚合物鍵結
第16章局部加熱釬焊
第17章封裝、密封與互連
第18章真空封裝
第19章單片矽埋溝
第20章基底通孔（TSV）
附錄