Complete Guide to Semiconductor Devices, 2/e
暫譯: 半導體元件完全指南（第二版）

Kwok K. Ng

Complete Guide to Semiconductor Devices, 2/e
  • 出版商: Wiley
  • 出版日期: 2002-07-25
  • 售價: $1,300
  • 貴賓價: 9.8 折 $1,274
  • 語言: 英文
  • 頁數: 768
  • 裝訂: Hardcover
  • ISBN: 0471202401
  • ISBN-13: 9780471202400
  • 相關分類: 半導體

    • 已絕版

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商品描述

Provides an overview of a complete collection of semiconductor devices.
* Presents self-contained data on over 180 device variations.
* Suitable for a wide variety of audiences--from students to practitioners to laypeople.

Table of Contents

Preface.

Preface to the First Edition.

Introduction.

DIODES I: RECTIFIERS.

p-n Junction Diode.

p-i-n Diode.

Schottky-Barrier Diode.

Planar-Doped-Barrier (PDB) Diode.

Isotype Heterojunction.

DIODES II: NEGATIVE RESISTANCE N-SHAPED.

Tunnel Diode.

Transferred-Electron Device (TED).

Resonant-Tunneling Diode.

Resonant-Interband-Tunneling (RIT) Diode.

Single-Barrier Tunnel Diode.

Single-Barrier Tunnel Diode.

Single-Barrier Interband-Tunneling Diode.

Real-Space-Transfer (RST) Diode.

DIODES III: NEGATIVE RESISTANCE S-SHAPED.

Metal-Insulator-Semiconductor Switch (MISS).

Planar-Doped-Barrier (PDB) Switch.

Amorphous Threshold Switch.

Heterostructure Hot-Electron Diode (HHED).

DIODES IV: NEGATIVE RESISTANCE TRANSIT-TIME.

Impact-Ionization-Avalanche Transit-Time (IMPATT) Diode.

Barrier-Injection Transit-Time (BARITT) Diode.

RESISTIVE AND CAPACITIVE DEVICES.

Resistor.

Metal-Oxide-Semiconductor (MOS) Capacitor.

Charge-Coupled Device (CCD).

TRANSISTORS I: FIELD-EFFECT.

Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor (MOSFET).

Junction Field-Effect Transistor (JFET).

Metal-Semiconductor Field-Effect Transistor (MESFET).

Modulation-Doped Field-Effect Transistor (MODFET).

Permeable-Base Transistor.

Static-Induction Transistor (SIT).

Real-Space-Transfer (RST) Transistor.

Planar-Doped Field-Effect Transistor.

Surface-Tunnel Transistor.

Lateral Resonant-Tunneling Field-Effect Transistor (LRTFET).

Stark-Effect Transistor.

Velocity-Modulation Transistor (VMT).

TRANSISTOR II: POTENTIAL-EFFECT.

Bipolar Transistor.

Tunneling Hot-Electron-Transfer Amplifier (THETA).

Metal-Base Transistor.

Bipolar Inversion-Channel Field-Effect Transistor (BICFET).

Tunnel-Emitter Transistor (TETRAN).

Planar-Doped-Barrier (PDB) Transistor.

Heterojunction Hot-Electron Transistor (HHET).

Induced-Base Transistor.

Resonant-Tunneling Bipolar Transistor (RTBT/RBT).

Resonant-Tunneling Hot-Electron Transistor (RHET).

Quantum-Well-Base Resonant-Tunneling Transistor (QWBRTT).

Spin-Valve Transistor.

NONVOLATILE MEMORIES.

Floating-Gate Avalanche-Injection Metal-Oxide-Semiconductor (FAMOS) Transistor.

Metal-Nitride-Oxide-Semiconductor (MNOS) Transistor.

THYRISTORS AND POWER DEVICES.

Silicon-Controlled Rectifier (SCR).

Insulated-Gate Bipolar Transistor (IGBT).

Static-Induction Thyristor (SIThy).

Unijunction Transistor.

PHOTONICS I: LIGHT SOURCES.

Light-Emitting Diode (LED).

Injection Laser.

PHOTONICS II: PHOTODETECTORS.

Photoconductor.

p-i-n Photodiode.

Schottky-Barrier Photodiode.

Charge-Coupled Image Sensor (CCIS).

Avalanche Photodiode (APD).

Phototransistor.

Metal-Smiconductor-Metal (MSM) Photodetector.

Quantum-Well Infrared Photodetector (QWIP).

Quantum-Dot Infrared Photodetector (QDIP).

Blocked-Impurity-Band (BIB) Photodetector.

Negative-Electron-Affinity (NEA) Photocathode.

Photon-Drag Detector.

PHOTONICS III: BISTABLE OPTICAL DEVICES.

Self-Electrooptic-Effect Device (SEED).

Bistable Etalon.

PHOTONICS IV: OTHER DEVICES.

Solar Cell.

Electroabsorption Modulator.

Thermistor.

Hall Plate.

Strain Gauge (Gage).

Interdigital Transducer (IDT).

Ion-Sensitive Field-Effect Transistor (ISFET).

Appendix A: Selected Nonsemiconductor Devices.

Appendix B: Physical Phenomena.

Appendix C: General Applications of Device Groups.

Appendix D: Physical Properties.

Appendix E: Background Information.

Index.

商品描述(中文翻譯)

提供一個完整的半導體器件集合概述。
* 提供超過180種器件變體的獨立數據。
* 適合各種受眾——從學生到專業人士再到普通人。

**目錄**

前言。
第一版前言。
介紹。
二極體 I：整流器。
接面二極體。
二極體。
肖特基障二極體。
平面摻雜障礙 (PDB) 二極體。
同型異質接面。
二極體 II：負阻 N 形。
隧道二極體。
轉移電子器件 (TED)。
共振隧道二極體。
共振帶間隧道 (RIT) 二極體。
單障礙隧道二極體。
單障礙隧道二極體。
單障礙帶間隧道二極體。
實空間轉移 (RST) 二極體。
二極體 III：負阻 S 形。
金屬-絕緣體-半導體開關 (MISS)。
平面摻雜障礙 (PDB) 開關。
非晶閾值開關。
異質結熱電子二極體 (HHED)。
二極體 IV：負阻過渡時間。
衝擊電離雪崩過渡時間 (IMPATT) 二極體。
障礙注入過渡時間 (BARITT) 二極體。
電阻和電容器件。
電阻器。
金屬氧化物半導體 (MOS) 電容器。
電荷耦合器件 (CCD)。
晶體管 I：場效應。
金屬氧化物半導體場效應晶體管 (MOSFET)。
接面場效應晶體管 (JFET)。
金屬半導體場效應晶體管 (MESFET)。
調變摻雜場效應晶體管 (MODFET)。
可滲透基晶體管。
靜態感應晶體管 (SIT)。
實空間轉移 (RST) 晶體管。
平面摻雜場效應晶體管。
表面隧道晶體管。
橫向共振隧道場效應晶體管 (LRTFET)。
斯塔克效應晶體管。
速度調變晶體管 (VMT)。
晶體管 II：潛在效應。
雙極晶體管。
隧道熱電子轉移放大器 (THETA)。
金屬基晶體管。
雙極反轉通道場效應晶體管 (BICFET)。
隧道發射晶體管 (TETRAN)。
平面摻雜障礙 (PDB) 晶體管。
異質接面熱電子晶體管 (HHET)。
誘導基晶體管。
共振隧道雙極晶體管 (RTBT/RBT)。
共振隧道熱電子晶體管 (RHET)。
量子井基共振隧道晶體管 (QWBRTT)。
自旋閥晶體管。
非揮發性記憶體。
浮閘雪崩注入金屬氧化物半導體 (FAMOS) 晶體管。
金屬氮化物氧化物半導體 (MNOS) 晶體管。
晶閘管和功率器件。
矽控整流器 (SCR)。
絕緣閘雙極晶體管 (IGBT)。
靜態感應晶閘管 (SIThy)。
單接面晶體管。
光子學 I：光源。
發光二極體 (LED)。
注入激光。
光子學 II：光電探測器。
光導體。
光二極體。
肖特基障光二極體。
電荷耦合影像感測器 (CCIS)。
雪崩光二極體 (APD)。
光電晶體管。
金屬-半導體-金屬 (MSM) 光探測器。
量子井紅外光探測器 (QWIP)。
量子點紅外光探測器 (QDIP)。
阻塞雜質帶 (BIB) 光探測器。
負電子親和力 (NEA) 光陰極。
光拖曳探測器。
光子學 III：雙穩態光學器件。
自電光效應器件 (SEED)。
雙穩態干涉儀。
光子學 IV：其他器件。
太陽能電池。
電吸收調製器。
熱敏電阻。
霍爾板。
應變計 (Gage)。
指間換能器 (IDT)。
離子敏感場效應晶體管 (ISFET)。
附錄 A：選定的非半導體器件。
附錄 B：物理現象。
附錄 C：器件組的一般應用。
附錄 D：物理特性。
附錄 E：背景信息。
索引。

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