商品描述
在全球功率半導體器件供需不平衡、SiC功率半導體器件機遇凸顯的背景下，本書應運而生。全書共5章，先講解了括功率半導體器件基礎，如種類、結構、在電路中的作用等；接著闡述了矽功率半導體器件現狀，重點聚焦SiC功率半導體器件，並深入探討了SiC-MOSFET的結構、原理、應用、發展現狀、面臨挑戰及解決方法，詳細論述了其耐受指標，如短路、關斷等耐受，後講解了SiC-MOSFET封裝技術的關鍵技術要素。本書以豐富圖文，為大院校師生、行業研發人員，系統地呈現SiC功率半導體器件與封裝技術知識，助力相關領域發展。
目錄大綱
前言
第1章 功率電子學及功率半導體器件
1.1引言
1.2逆變器電路的種類
1.3功率半導體器件的作用和面臨的問題
1.4功率半導體器件的開發方向
1.5功率半導體器件的重要參數
1.6功率半導體器件的種類
1.7現代功率半導體器件的主角：MOSFET和IGBT
第2章 矽功率半導體器件的現狀及進
2.1矽功率半導體器件的研發趨勢不減
2.2支撐矽基功率器件的新技術
2.2.1基本元胞結構
2.2.2Si-MOSFET的進展
2.2.3Si-IGBT的進展
2.3IGBT模塊封裝技術的進展
2.4提升器件性能的研究方向
參考文獻
第3章 ＳｉＣ功率半導體的進展
3.1引言
3.2SiC材料的點
3.3SiC-MOSFET還是SiC-IGBT
3.4SiC-MOSFET
3.4.1SiC-MOSFET的研究現狀
3.4.2SiC-MOSFET市場化的困難
3.4.3晶體生長與晶圓加工工藝
3.4.4降低導通電阻和芯片成本
3.4.5更快的開關速度
3.4.6內置PIN二管正向導通壓降的化
3.4.7內置肖基勢壘二管（SBD）的SiC-MOSFET
3.5SiC-MOSFET的未來
3.5.1結SiC-MOSFET
3.5.2FinFET結構
3.5.3SiC功率集成電路技術
參考文獻
第4章 ＳｉＣ-ＭＯＳＦＥＴ器件耐受
4.1引言
4.2工作區
4.3短路耐受
4.3.1當直流電壓較高時
4.3.2當直流電壓較低時
4.3.3內置SBD的SiC-MOSFET器件短路耐受分析及改進策略
4.3.4增加導熱銅片後器件的短路耐受
4.4關斷耐受
4.5非鉗位感性負載開關（UIS）耐受
4.6SiC-MOSFET內置二管的正向浪湧電流耐受
4.6.1正向浪湧電流耐受
4.6.2內置SBD的槽柵SiC-MOSFET器件正向浪湧電流耐受測試
4.6.3增加導熱銅片後器件的正向浪湧電流耐受
參考文獻
第5章 ＳｉＣ-ＭＯＳＦＥＴ封裝技術
5.1引言
5.2關鍵技術要素
5.3SiC-MOSFET封裝關鍵技術
5.3.1高強度焊接技術
5.3.2低電感技術
5.3.3耐高溫技術
5.3.4高效散熱技術
參考文獻
