半導體元件, 7/e (Streetman: Solid State Electronic Devices, 7/e)

Ben G.Streetman , Sanjay K. Banerjee 著、龔正、鄭岫盈、吳忠義 譯

  • 出版商: CS滄海
  • 出版日期: 2016-12-31
  • 售價: $720
  • 貴賓價: 9.5$684
  • 語言: 繁體中文
  • 頁數: 632
  • ISBN: 9862803649
  • ISBN-13: 9789862803646
  • 相關分類: 半導體

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商品描述

<內容簡介>

 

本版新增內容

   MOS元件:增加先進元件的解說,包括彈道式(ballistic)FET、鰭式FET、應力式(strained)矽元件、金屬閘高介質(MGHK)元件,以及III-V族高通道遷移率元件。
   光電元件:增加寬能隙含氮半導體元件,以及量子疊接雷射。
   全新的奈米電子章節:令人震撼的新視野,例如二維結構材料之石墨烯與拓墣絕緣體、一維材料之奈米線,以及零維材料之量子點。
   自旋電子學(spintronics)、電阻式記憶體,以及相變化記憶體。
   約100道全新習題,以及與新增內容相關的最新參考文獻。

 

 

<章節目錄>

 

第 1 章 半導體的晶格特性與成長
第 2 章 原子和電子
第 3 章 半導體的能帶與帶電載子
第 4 章 半導體內的過量載子
第 5 章 接面
第 6 章 場效應電晶體
第 7 章 雙載子接面電晶體
第 8 章 光電元件
第 9 章 積體電路
第10章 高功率高頻奈米電子元件
附錄 I 常用符號之定義
附錄 II 物理常數及轉換因子
附錄 III 半導體材料之性質
附錄 IV 導帶能態密度的推導
附錄 V 推導費米-迪拉克統計
附錄 VI 在 Si (100) 上成長乾式及濕式氧化層厚度為時間和溫度之函數
附錄 VII 矽中雜質的固溶率
附錄 VIII Si 與 SiO2 中摻雜質的擴散係數
附錄 IX 矽中投影範圍和散落為佈植能量的函數
自我測驗問題選答